基于Windows 操作系統(tǒng)為多種不同表面提供**的形貌分析，包括半導(dǎo)體硅片、太陽能硅片、薄膜磁頭及磁盤、MEMS、光電子、精加工表面、生物醫(yī)學(xué)器件、薄膜/化學(xué)涂層、平板顯示、觸摸屏等。使用金剛石（鉆石）探針接觸測(cè)量的方式來實(shí)現(xiàn)高精度表面形貌分析應(yīng)用。ET 200 能**可靠地測(cè)量出表面臺(tái)階形貌、粗糙度、波紋度、磨損度、薄膜應(yīng)力等多種表面形貌技術(shù)參數(shù)。

日本KOSAKA ET200 臺(tái)階儀配備了各種型號(hào)探針，提供了通過過程控制接觸力和垂直范圍的探頭，彩色CCD原位采集設(shè)計(jì)，可直接觀察到探針工作時(shí)的狀態(tài)，更方便準(zhǔn)確的定位測(cè)試區(qū)域。

日本KOSAKA ET200 臺(tái)階儀規(guī)格
一、測(cè)定工件：
1. *大工件尺寸：φ160mm
2. *大工件厚度：50mm
3. *大工件重量：2kg
二、檢出器（pick up）：
1. Z方向測(cè)定范圍：Max. 600μm
2. Z方向分解能：0.1nm
3. 測(cè)定力： 10uN ~500uN
4. 觸針半徑：2 μm 60°
5. 驅(qū)動(dòng)方式：直動(dòng)式
6. 再現(xiàn)性：1σ= 1nm(全量程)、1um以下臺(tái)階重現(xiàn)性可達(dá)0.2nm以下
三、X 軸 (基準(zhǔn)軸)：
1. 移動(dòng)量(*大測(cè)長)：100mm
2. 移動(dòng)的真直度：0.2μm/100mm
3. 移動(dòng),測(cè)定速度：0.005~20mm/s
4. 線性尺(linar scale)：分解能 0.1μm
四、Z軸：
1. 移動(dòng)量：50mm
2. 移動(dòng)速度：max.2mm/S
3. 檢出器自動(dòng)停止機(jī)能
4. 位置決定分解能：0.1μm
五、工件臺(tái)：
1. 工件臺(tái)尺寸：φ160mm
2. 機(jī)械手動(dòng)傾斜: ±2° (±1mm/150mm)
六、工件觀察：max.135 倍(可選購其它高倍率CCD)
七、床臺(tái)：材質(zhì)為花崗巖石
八、防振臺(tái)(選購)：落地型或桌上型
九、電源：AC220V±10%,
50/60HZ, 300VA