FHT40NBR高靈敏度x、γ劑量率

NBR技術簡介：

用已知定量測量方法難以區(qū)分人工γ源與天然本底之波動。盡管對于高度屏蔽的人工源，利用無機閃爍體、高分辨鍺半導體可進行測譜，但所需時間較長，且在100mS到幾秒時間內(nèi)測光點峰，統(tǒng)計性太差，加之被檢物本身對天然γ本底的屏蔽效應，使得天然本底下降50%，故對于弱源，很難檢測出。即使采用既測效應，又在另一位置測本底，然后再相減的方法，對弱源也需長時間測量。

采用NBR技術的測量裝置至少用兩個比較器與閃爍體聯(lián)接，一個比較器對應高閾（高閾取可測得的人工源的最高能值），一個比較器對應低閾（高閾取剛好卡住電子學噪聲值），測出閾上的積分計數(shù)率（高閾以上的計數(shù)與有否人造源無關，而低閾以上的計數(shù)就與有否人造有關），實測的兩閾計數(shù)率比如果與天然γ輻射的比（天然本底參考值由實測得出）符合或在誤差范圍內(nèi)符合，就給出無γ源信號，若相差大于20%，就給出有人工γ源信號。

標準配置：

1. FH40G系統(tǒng)主機
2. FHZ672E-10高靈敏度x、γ劑量率探測器
3. FH40-Cal刻度軟件
4. 程序操作軟件
5. IR紅外讀出器

FHT40NBR高靈敏度x、γ劑量率技術規(guī)格

1. 多功能輻射測量儀主機：

• 測量常數(shù)：光子劑量率當量[H*(10)]
• 測量范圍：10 nSv/h~1 Sv/h
• 負荷容積：50 Sv/h
• 探測效率：>50 Sv/h
• 能量范圍：36 keV~1.3MeV
• 角度依賴性：-75°~ +75°之間縱軸方向的單位內(nèi)角度變化小于20%
• 讀數(shù)出錯率：<5%，¹³⁷Cs radiation (E=662 keV)
• 規(guī)格：195mm×73mm×42mm
• 探測效率：超過50 Sv/h (DIN6818)則忽略該次檢測
• 重量：約410 g (不含電池)
• 顏色：灰色
• 保護等級：IP 67 (防水可達1米深)
• 電池：2塊AA/LR6電池(1.5V)；2塊鋰電池(1.5V)
• 電池使用壽命：>300小時(AA/LR6電池)；>500小時(鋰電池)；>4000小時(備用模式)
• 環(huán)境溫度：-30℃~+55℃
• 存儲溫度：-40℃~+70℃
• 大氣壓：200 hPa~1500hPa
• 相對濕度：10%~95%
• 電磁磁場率：IEC 1000-4-3, EN61000-4-3, 10V/m, 80 MHz-1GHz
• 靜電補償：8kV, IEC 801-2

• 探測器類型：正比計數(shù)管

探測器靈敏度：2.0 Imp/s per μSv/h

探測器尺寸：25.0±1.0mm length; Φ25.0±1.0mm

2.環(huán)境x、γ劑量率探測器技術參數(shù)：

探頭類型：90×90mm，高靈敏度大體積塑料閃爍體，探測器

探頭靈敏體積：572 cm3

測量范圍：1nSv/h-100μSv/h

能量范圍：48keV-6MeV

探測效率：2000s-1/μSv/h（Cs-137）LED顯示組合：

• 啟示開關：本底探測約1分鐘，當綠燈閃亮紅燈亮為準備好
• 綠燈閃亮：正常模式，無人工輻射
• 紅燈閃亮：人工輻射
• 兩種燈都亮：

• 本底中K-40或Th-228含量異常高
• 多種高能量γ輻射存在
• Am/Be，²⁵²Cf中子源存在

• FH40G-顯示“γ”閃爍：人工輻射